第十九章 气相成底膜和光刻胶（1/2）

第十九章光刻胶当迪尔博士把制版工作完成后，这个时候工作场地完全的转移到了经过重新改造过的以前的老实验室里，这是是个黄sè的海洋的房间大安装的都是能发出黄光的灯，这里完全按照迪尔博士的设计进行的改造，只是缩小版的，基本的仪器设备一样不缺，这个一个不足500平米的实验室仅仅设备的投入费用就达到了200万美元，当然这还是经过jīng打细算的结果，以张亿诚目前的财力也只能做到这一步。“知道我为什么把这个房间全装上发黄光的灯吗？”张亿诚摇了摇头，“因为借下来的工作中涉及到的光刻胶对大部分的可见光都很敏感，只有黄光不敏感，这个这个步骤必须在黄光实验室进行。”

“那么我们制版完成后，下一步我们将进行更jīng细的工作，光刻，我把光刻分为气相成底膜、旋转涂胶、软烘干、对准曝光、曝光后烘培、显影、坚模、显影后检查这8个主要步骤。”三人换好工作服带上可以把头发和耳朵等全部遮住的帽子，然后口罩和大边框的平镜装备上走进了实验室，这样的实验室不允许有一点灰尘，甚至出现头皮碎屑、呼出的水蒸气等都不行。

“在集成电路的制造过程中，光刻是多次应用的非常重要的工序。”说到这里博士扬了扬手中的已经完成前道工序的掩模继续说道“光刻的作用就是把我手上的这块掩模上的图形转换成晶圆上的器件三维结构。张亿诚跟着点了点头表示明白。

博士接着把手中通过特殊镊子夹起的晶圆放到清洗机器中一排一排的细小器皿中，打开电路开关器皿自动缩进机器，微小的电机声传来。“这一步的清洗很重要主要是除去表面的沾污物，这台机器可以对晶圆进行超声波和离子水冲洗，虽然这些晶圆刚完成氧化和淀积cāo作，处于洁净的状态，但是在转移的过程中还是有可能出现污物附着在表面，沾污物会造成光刻胶与晶圆的粘附xìng差，这样在显影和刻蚀中容易引起光刻胶的漂移问题，光刻胶一漂移就会导致底层薄膜的钻蚀直接的后果就是光刻胶涂布的不平坦和光刻胶中产生针孔，试验的产品就会失败。”博士指了指面前的正在发出微弱响声的机器说道。这些晶圆都是采购市场上的高纯硅工厂已经完成了硅棒外延长生长、切割然后磨片、抛光后的半成品。当然这些还是很简单的处理工艺。在现在这个时代张亿诚也只有凑合着用。外延长工艺的重要xìng其实张亿诚很明白，奈何现在一没技术二没资金，所以也只有先从外面采购，幸好这里是硅谷，到处是硅制品的工厂，可怜的老富兰克林现在已经沦落到成了生产学员加跑腿的非职业化采购了。

电机声响了一会自动停了下来，这个时候迪尔博士cāo作着旁边的机械臂把事先放进去清洗的成排的晶圆小心翼翼的取了出来放入旁边的自动脱水烘箱中，然后博士把烘箱的温控系统的温度调到了200摄氏度，时长一个小时，也就是说这些清洗后的晶圆要在自动烘箱中的200摄氏度的高温下烘干一小时。“让我来和你说说这一步的作用布鲁斯，这是一个脱水、干烘一体的充满惰xìng气体的封闭腔、相对湿度必须控制在50%以下，通过长达一小时的烘干，我们的目的是除去吸附在晶圆表面的大部分水汽防止在接下来的步骤中因为水汽而引起光刻胶薄膜出现缺陷，这对成品的良品率非常重要。”博士边说边走下一台机器旁，把这一步需要的前期准备参数调整好“这是涂光刻胶机器，请cāo作的时候万分小心，他中间的转盘工作时可以达到几千转每分钟的速度。

张亿诚跟在后面非常努力的记忆着博士的每一个cāo作步骤和所说的话，等到这台涂光刻胶机器完全准备就绪又过了一会，自动脱水温控烘箱终于完成它的任务。